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“上海儀器儀表”招標(biāo)預(yù)告信息

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近期上海市關(guān)于儀器儀表的招標(biāo)預(yù)告,業(yè)主單位分別為:上海市閔行區(qū)博物館,中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所,項(xiàng)目名稱分別是,2025年12月政府采購意向-閔行區(qū)博物館張充仁紀(jì)念館上海海派藝術(shù)館后勤保障物業(yè)管理服務(wù)詳細(xì)情況萬元人民幣,2025年12月政府采購意向-閔行區(qū)博物館張充仁紀(jì)念館上海海派藝術(shù)館后勤保障物業(yè)管理服務(wù),2025年10至12月政府采購意向-光電紅外物性表征設(shè)備詳細(xì)情況萬元人民幣,2025年10至12月政府采購意向-發(fā)射率測量系統(tǒng)詳細(xì)情況萬元人民幣等,主要地區(qū)為:上海,最新項(xiàng)目為:2025年12月政府采購意向-閔行區(qū)博物館張充仁紀(jì)念館上海海派藝術(shù)館后勤保障物業(yè)管理服務(wù)詳細(xì)情況萬元人民幣,更新時(shí)間為:2025/10/21,更多信息請查看下方列表
一、項(xiàng)目概況1、項(xiàng)目名稱:閔行區(qū)博物館(張充仁紀(jì)念館、海派藝術(shù)館)后勤保障服務(wù) 查看詳情>>
一、項(xiàng)目概況 1、項(xiàng)目名稱:閔行區(qū)博物館(張充仁紀(jì)念館、海派藝術(shù)館)后勤保障服務(wù) 2、服務(wù)期限:20 查看詳情>>
積分球直徑8寸具備紅外勻光功能激光器輸出功率>100mW探測器光譜響應(yīng)范圍3-12um。 查看詳情>>
黑體口徑:Φ130mm; 查看詳情>>
大視場準(zhǔn)直儀口徑不小于200㎜視場4.5°×4.5°軸上像質(zhì)優(yōu)于λ/10; 查看詳情>>
可調(diào)諧激光波長范圍400nm-490nm 查看詳情>>
清醒活動動物多模態(tài)成像系統(tǒng)1套 查看詳情>>
   2025年10至1月政府采購意向-重力模塊詳細(xì)情況萬元人民幣

招標(biāo)預(yù)告 | 2025-09-22丨 上海

構(gòu)建近海底水下重磁測量系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)水下AUV/ROV高精度重力測量 查看詳情>>
圍繞海底科學(xué)與劃界全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“立足于國家海洋權(quán)益維護(hù)、海底資源勘查等國家重大需求面向世界科技前沿 查看詳情>>
強(qiáng)磁場超低溫的極端實(shí)驗(yàn)條件對于發(fā)現(xiàn)新的物理現(xiàn)象起到至關(guān)重要的作用。 查看詳情>>
圍繞海底科學(xué)與劃界全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“立足于國家海洋權(quán)益維護(hù)、海底資源勘查等國家重大需求面向世界科技前沿 查看詳情>>
圍繞海底科學(xué)與劃界全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“立足于國家海洋權(quán)益維護(hù)、海底資源勘查等國家重大需求 查看詳情>>
散粒噪聲譜學(xué)測量系統(tǒng)1臺 查看詳情>>
樣品臺尺寸:100×100mm 查看詳情>>
包含納米刻蝕、接觸模式、非接觸模式成像模式等 查看詳情>>
集成的等離子清洗器;集成能譜分析等 查看詳情>>
原子力顯微鏡手套箱聯(lián)合系統(tǒng) 查看詳情>>
極低溫矢量場掃描隧道顯微鏡系統(tǒng)1套 查看詳情>>
1)沉積精度:單原子層(0.1–0.3 查看詳情>>
1)極限真空度:< 查看詳情>>
1)曝光面積:可支持最大9英寸的基板;2)分辨率:≤ 查看詳情>>
1)無負(fù)載基礎(chǔ)溫度:≤10mK;2)20mK時(shí)制冷功功率:≥12uW;3)100mK時(shí)制冷功率:40 查看詳情>>
掃描NV探針顯微鏡(低溫版)1臺/套掃描NV探針顯微鏡(低溫版)要求為:1)工作溫度2-300 查看詳情>>
1、稀釋制冷機(jī):最低溫度:≤20mK;穩(wěn)定度 查看詳情>>
電子束曝光機(jī)2臺電子束曝光機(jī)要求為:1)分辨率:≤50 查看詳情>>
含有電子束蒸鍍腔、低溫?zé)嵴翦兦灰约按趴貫R射腔三個主要腔室。電子束蒸鍍腔極限真空<1.0 查看詳情>>
激光功率2KW溫度>2500攝氏度無坩堝生長溫度梯度<1度/1?cm最大 查看詳情>>
極低噪聲低溫恒溫系統(tǒng)1套極低噪聲低溫恒溫系統(tǒng)要求為:1)等效噪聲密度≤5nV/√Hz;2)無負(fù)載基礎(chǔ) 查看詳情>>
液氦杜瓦體積不小于150 查看詳情>>
真空多腔體磁控濺射系統(tǒng)1臺真空多腔體磁控濺射系統(tǒng)要求為:1)真空度:≤ 查看詳情>>
反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備2臺反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備要求為:1)工作壓力范圍:1 查看詳情>>
離子束刻蝕設(shè)備1臺離子束刻蝕設(shè)備要求為:1)離子能量:100–2000 查看詳情>>
深硅刻蝕設(shè)備1臺深硅刻蝕設(shè)備要求為:1)刻蝕深度:10–500 查看詳情>>

各地區(qū)招標(biāo)預(yù)告:

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